すべて製品一覧

  1. 製品一覧
one two four
  • MORE
    4.jpg

    4インチウェハ蒸着外観

    ウェハの薄化- BG
    シリコンウエハー(Si) を50um (2mil)まで薄くする
    GaN on Si を 3 milまで
    SiC を 6 milまで対応可能
    TTV ≤ 10µm Within wafer

    金属蒸発- BM
    多層堆積をサポートする金属材料：Ti, Ni, Ag, Sn, Cu, Al,Auなと
    金属の厚さは最大35um対応
    均一性: ±10% Within wafer
  • MORE
    6.jpg

    6インチウェハ蒸着外観

    ウェハの薄化- BG
    シリコンウエハー(Si) を50um (2mil)まで薄くする
    GaN on Si を 3 milまで
    SiC を 6 milまで対応可能
    TTV ≤ 10µm Within wafer

    金属蒸発- BM
    多層堆積をサポートする金属材料：Ti, Ni, Ag, Sn, Cu, Al,Auなと
    金属の厚さは最大35um対応
    均一性: ±10% Within wafer
  • MORE
    8霧面.jpg

    8インチウェハ蒸着外観

    ウェハの薄化- BG
    シリコンウエハー(Si) を50um (2mil)まで薄くする
    GaN on Si を 3 milまで
    SiC を 6 milまで対応可能
    TTV ≤ 10µm Within wafer

    金属蒸発- BM
    多層堆積をサポートする金属材料：Ti, Ni, Ag, Sn, Cu, Al,Auなと
    金属の厚さは最大35um対応
    均一性: ±10% Within wafer
  • MORE
    12吋 _1_.jpg

    12インチウェハ蒸着外観

    ウェハの薄化- BG
    シリコンウエハー(Si) を50um (2mil)まで薄くする
    GaN on Si を 3 milまで
    SiC を 6 milまで対応可能
    TTV ≤ 10µm Within wafer

    金属蒸発- BM
    多層堆積をサポートする金属材料：Ti, Ni, Ag, Sn, Cu, Al,Auなと
    金属の厚さは最大35um対応
    均一性: ±10% Within wafer